IRFDC20
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | IRFDC20 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 4-HVMDIP |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4Ohm @ 190mA, 10V |
Verlustleistung (max) | 1W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 320mA (Ta) |
Grundproduktnummer | IRFDC20 |
IRFDC20 Einzelheiten PDF [English] | IRFDC20 PDF - EN.pdf |
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Zielpreis (USD)
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